Alvo de pulverização de titânioentrega ao cliente em 13 de dezembro
Nome do produto Alvo redondo de titânio
Grau Gr1 Gr2 Gr3 Gr5 (Ti6al4v)
Alvo de titânio padrão: condições técnicas: em conformidade com ASTM B34897
Alvo de placa de titânio: condições técnicas: conforme ASTM B265-93
Especificação: especificação comum: 60/65/95/100 * 30/32/40/45mm
Alvo da placa: (8-25mm * (150-300) mm * (1000-2500) mm
Alvo do tubo: 70mm * 7mm/10mm
O polimento de superfície pode ser rosqueado
Características: Leve, excelente resistência à corrosão, resistência à corrosão, alta resistência, boa resistência ao calor, boa ductilidade, não tóxico, não magnético, excelente resistência mecânica, etc.
Estado Estado de recozimento (M) Estado de trabalho a quente (R) Estado de trabalho a frio (Y) (recozimento, detecção ultrassônica de falhas)
Aplicações: Usado em dispositivos de separação de semicondutores, monitores de tela plana, filmes de eletrodos de armazenamento, revestimentos de pulverização catódica, revestimentos de superfície de peças de trabalho, indústria de revestimento de vidro

A pureza é um dos principais indicadores de desempenho dos alvos de titânio porque a pureza do alvo tem um grande impacto no desempenho do filme. No entanto, em aplicações práticas, os requisitos de pureza do alvo também são diferentes. Os chips de silício agora variam em tamanho de 6 polegadas a 8 polegadas a 12 polegadas, e as larguras de fiação encolheram de 0.5 um para 0.25 um, 0.18 um, ou mesmo 0,13 um, graças ao rápido progresso da indústria de microeletrônica. Anteriormente, 99,995 por cento da pureza alvo pode atender aos requisitos do processo de 00,35 um IC, enquanto 99,999 por cento ou até mesmo 99,9999 por cento da pureza alvo é necessária para a preparação de linhas 0,18 um .
As fontes primárias de poluição para os filmes depositados são impurezas no sólido alvo e oxigênio e vapor de água nos poros. Diferentes materiais-alvo têm diferentes requisitos para diferentes conteúdos de impurezas. Por exemplo, alvos de alumínio puro e liga de alumínio usados na indústria de semicondutores têm requisitos especiais para teor de metal alcalino e teor de elemento radioativo.

O alvo normalmente precisa ter uma alta densidade para diminuir a porosidade no sólido alvo e melhorar o desempenho do filme pulverizado. As características elétricas e ópticas do filme também são afetadas pela densidade do alvo, além da taxa de pulverização. O filme tem melhor desempenho quanto maior a densidade do alvo. Além disso, o alvo pode sobreviver melhor ao estresse térmico durante o processo de pulverização, tornando-se mais denso e mais forte. A densidade também é um dos principais indicadores de desempenho do alvo.












